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姓 名:
赵世柯
性    别:
职 务: 职    称: 01.正高级
学 历:
博士研究生
通讯地址:
北京市怀柔经济开发区雁栖东二路5号
电 话:
010-56535164
邮政编码:
101407
传 真:
电子邮件:
zhaoshike@sina.com
简历:

  2000.7-2001.8 中国科学院上海硅酸盐研究所,助理研究员。2001.9-2003.9 清华大学 材料科学与工程系,博士后研究人员。2003.9-至今 中国科学院电子学研究所,三室,副研究员,研究员。


研究领域:

微波电真空材料与工艺

目前的研究方向:

  • 介质材料金属化与封接技术
  • 电真空材料表面处理技术
  • 低次级电子发射材料与应用技术
  • 真空镀膜技术及其在微波电真空领域的应用
  • 电真空用材料真空性能及评价技术
  • 真空电子材料与工艺

承担科研项目情况:
 

    2000年毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所,获材料学工学博士学位。毕业后留所工作1年。其间,先后从事高温氧化物陶瓷的制备工艺与性能、硅化物光电材料的工程化等研究工作。2001年9月-2003年9月在清华大学材料系从事博士后研究工作,主要从事层状仿生结构材料的制备及高温力学性能评价等研究工作。2003年9月-至今,在中国科学院电子学研究所工作。主要从事电真空材料与工艺方面的实验研究与工程验证工作。
    首次从氧化锆相变设计角度提出了提高ZrO2复合材料抗热震性能的设想,并进行了实验验证。该项研究成果得到国内同行的广泛引用。提出了层状复合材料强度设计新思路,获得抗弯强度大于600MPa的Al2O3/ZrO2层状复合材料。
    在国际、国内专业学术期刊上发表论文近50篇,其中1、2作者近30篇(SCI收录14篇,EI收录5篇)。申请专利7项,获授权专利4项。参与编写专著1部。

 

 

 

赵世柯